Компания Samsung создает первый в мире модуль памяти DDR4 с использованием технологии 30 нм класса.
Компания Samsung Electronics, являющаяся одним из ведущих производителей памяти типа RAM, официально объявила о новом достижении на этом фронте. Южнокорейским специалистам удалось создать первый в индустрии DIMM модуль памяти DDR4, причем, при его разработке использовались чипы DRAM, изготовленные по нормам технологии 30 нм класса.
Что касается характеристик первого в мире модуля памяти DDR4, он функционирует на частоте 2133 МГц (заявленные официальные частоты памяти DDR4 от Samsung составят от 1600 до 3200 МГц), при этом требуемое напряжение питания у него равняется всего 1,2 вольта. Кроме того, присутствует поддержка специальной технологии Pseudo Open Drain (POD), способствующей энергосбережению.
Благодаря этому, по данным Samsung, энергоэффективность модулей памяти DDR4 2133 в ходе процесса чтения и записи окажется на 40 процентов выше по сравнению с существующими аналогами на базе памяти DDR3. Массовое производство подобных решений на основе памяти DDR4 намечено на начало следующего года, тогда же, вероятно, они появятся в продаже. Впрочем, насколько готовой к подобному развитию событий окажется компьютерная индустрия, и найдет ли новая память свое место на рынке, пока сказать сложно.
